技术编号：6852746
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到半导体衬底材料，更确切地说是涉及到包括基本上弛豫的高质量SiGe合金层的半导体衬底材料。与现有技术的含有SiGe的衬底材料相比，位于其上表面上的本发明半导体衬底材料的SiGe合金层具有降低了的面缺陷密度。本发明还提供了一种制造本发明衬底材料的方法，其中，衬底材料的上部SiGe合金层具有降低了的面缺陷密度。背景技术 在半导体工业中，采用弛豫的SiGe层作为应变硅层生长的样板，已经是用来产生有可能用于高性能互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的张应...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。