技术编号:6852763
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是涉及一种先利用一可移除的接合媒介将一晶片接合于一承载晶片上,再进行一晶片薄化工艺薄化晶片厚度的方法,藉此晶片厚度可达到100微米之下。背景技术 许多半导体元件与微机电元件,基于功能考量或是尺寸需求,必须进行晶片薄化工艺,以将晶片缩减至适当厚度。现行晶片薄化工艺以研磨(polish)与蚀刻工艺为主,而对于上述任一种方法而言,晶片厚度的极限仅能达到约100微米。一般而言,晶片薄化工艺可于制作元件之前进行,或是待元件制作完成后再由晶片的背面...
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