技术编号:6853022
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路及其制造,尤其涉及一种源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管的制作方法。背景技术集成电路尤其是超大规模集成电路中的主要器件是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,简称MOSFET)。器件尺寸的不断缩小可以提高MOSFET器件的性能,同时可以极大地提高单个芯片的集成密度。并且随着芯片尺寸的不断扩大,电路功能也不断地增多。现在,MOSFET的几...
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