技术编号:6853028
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电器件,特别涉及一种与深亚微米标准互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal OxideSemiconductor)工艺完全兼容的硅基光电探测器结构及其制作方法。背景技术 信息技术的发展意味着需要以更高的速率传输容量更大的信息。然而传统的金属互连受到各种寄生效应的影响无法满足更高速率的传输要求,光互连无疑是一种理想的替代技术。采用标准的CMOS工艺实现光电探测器,可以将光电子器件直接与CMOS集成电路在同一芯片...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。