技术编号:6853067
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于硅基CMOS射频(Radio Frequency,RF)集成电路(Integrated Circuit,IC)衬底制造领域的,具体是关于应用在硅基CMOS射频集成电路中,用于同时将CMOS数字集成电路及射频无源器件和电路高度集成在同一块低电阻率硅衬底上的,带有垂直纳米结构氧化硅的硅衬底技术及其制造方法。背景技术 随着通讯技术,特别是无线通讯技术的快速发展,作为关键技术之一的射频(RadioFrequency,RF)技术不断向高通讯频率和高传输速...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。