技术编号:6853119
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本发明涉及,更具体地说,涉及包含使至少一部分非单晶半导体薄膜结晶的半导体器件制造方法。通常,即使是单晶也涉及原子行的混乱(例如位错),并且难以将“单晶”与“接近于单晶的晶体”区分开,因此,应注意,在本说明书中,将“接近于单晶的晶体”也描述为“单晶”。作为用于实现ULSI(超大规模集成电路)集成、低功耗和高速的技术,已知有用于在绝缘材料衬底或者绝缘膜上形成单晶硅的SOI(绝缘体上硅)技术。这种技术分为(1)在形成在单晶半导体晶片例如硅晶片上的绝缘膜上...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。