技术编号:6853371
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化合物半导体的防静电方法及防静电保护装置,并涉及具静电放电保护能力的发光半导体组件。背景技术 化合物半导体(包括无机和有机化合物半导体)组件常用作发光组件等使用,其与其它电子组件同样需要面对静电问题。一般而言,化合物半导体组件常并联齐纳二极管(Zener diode)或肖特基二极管(Schottky-Barrier diode)作为抗静电的措施,并还可串联一滤波电路等方式以抗静电。近年来,III-V族化合物半导体材料因在光电与微波组件方面的潜...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。