技术编号:6853478
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,特别涉及包括多层互连结构的半导体器件。背景技术 为了制造包括在半导体衬底上形成的多层互连结构的半导体器件,已经研究了使用称作低k材料的低介电常数材料作为降低互连之间的寄生电容的绝缘中间层。在晶片上大量地形成包括多层互连结构的半导体器件,然后通过划片将其分裂成单独的器件,其中在多层互连结构中采用低介电常数膜作为绝缘中间层。但是,在划片工艺中,经常在切割部分上制作刻痕。由于刻痕是应力集中的地方,所以易于从刻痕产生裂缝。因此,当通过对接...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。