技术编号:6853497
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其涉及由半导体集成电路装置中的元件区域的微细化达到高性能化的元件构造及其制造方法。背景技术 近年来,形成于硅基板上的LSI,因所用的元件的微细化产生的高性能化是显著的。这是因为逻辑电路或SLAM等的存储装置所用的MOSFET根据所谓的标定原则通过缩短栅极长度,或使栅极绝缘膜薄膜化,实现了性能改善。在下列文献中揭示了,作为三维构造MIS型半导体装置的一种,用SIO基板并对Si基板切出细的短栅形状,形成突起状区域,使栅极在其上立体交叉,将切出的突...
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