技术编号:6853651
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体器件的典型方法,本发明更特别地涉及在制造相变存储器件的处理过程中在半导体器件上形成小通路结构的典型方法。背景技术 即使在存储器件的电源被中断时,非易失性存储器件仍能够使存储的数据保持一段时间。因此,非易失性存储器件广泛用于计算机、移动通信系统、存储卡以及不频繁对存储器进行加电而且不频繁访问存储器的其它应用。闪存器件是一类通常采用层叠栅极结构的存储单元的非易失性存储器件。层叠栅极结构包括顺序层叠在沟道区域上的隧道氧化层、浮动栅极、栅极间介...
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