技术编号:6853704
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件,且特别是有关于一种静态随机存取记忆体(static random access memory;SRAM)的记忆胞结构的系统。背景技术 互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术是现今用于制造超大型集成(ULSI)电路的主要半导体技术。半导体结构尺寸的缩小在过去数十年间已在速度、性能、电路密度以及半导体芯片的每记忆胞功能的成本上有显著的进步,然而,当CMOS元件的尺寸持续缩小,则面临了重大的挑战。挑战之一就是软错误(soft err...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。