技术编号：6853910
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在一种新型衬底β-Ga2O3材料上用MOCVD(金属有机物化学汽相外延)技术生长GaN/InGaN量子阱LED的方法，尤其是利用MOCVD技术在β-Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构工艺技术。背景技术 β-Ga2O3是一种透明导体，其透光范围可以从可见光到紫外光的范围，并且其本征特性具有n型导电性。其禁带宽度为Eg＝4.8eV(260nm)。由于它的这种重要特性使得它在未来短波长光电子器件领域具有重要的应用前景。以Ga...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。