技术编号:6853938
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及例如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等的金属氧化物半导体栅控器件(MOS栅控器件)以及它们的制造工艺,更具体地说,本发明涉及这样一种器件,在该器件中,漏极被设置在含有其中形成器件的管芯或晶片的表面的结的顶面上。背景技术 垂直导电的MOS栅控器件是公知的。这里,MOS栅控器件指的是MOSFET、IGBT等。垂直导电的器件指的是这样一种器件,其中通过管芯的电流传导路径的至少一部分与管芯的平面垂直。而管芯(d...
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