技术编号：6854051
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造方法，更具体涉及具有深接触孔的半导体器件的制造方法。背景技术 由于动态随机存取存储器(DRAM)的设计尺度已经减小，因此用作掩模来形成接触孔的光刻胶图案的厚度也已减小。因而，如果光刻胶图案单独用来形成接触孔，则光刻胶图案的边缘厚度不足。为此，目前形成接触孔时采用硬掩模。然而，如果在接触孔形成之后保留硬掩模，则由于硬掩模和界面层之间应力水平不同使得硬掩模的存在经常引起界面层升高。因此，去除硬掩模也变得重要。在最近的DRAM中的电容器...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。