技术编号：6854138
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体基片的等离子处理，特别地涉及蚀刻和/或等离子沉积。更准确地，本发明涉及用于厚度小于500μm的基片的支持器。背景技术 在半导体工业中，对晶片形式的基片进行处理代表了制造过程中的一个重要方面。在将集成电路生成在厚半导体基片晶片，例如硅晶片上之后，后者需要通过机械动作将其减薄到它们的应用所要求的厚度。减薄具有两个结果a)减薄到厚度为100μm量级或更少，原先刚性的基片变成柔性并且因此非常难以处理。b)机械动作将材料的结构改变到10μm到30μm...
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