技术编号：6854197
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包含低介电常数膜的半导体器件。背景技术 由于半导体器件的微细化进展，铜布线的寄生电容变为与晶体管的输入输出电容同等的大小，成为元件动作的高速化的障碍。因此，正在积极研究引入比以往的氧化硅(SiO2，相对介电常数k4)的相对介电常数还低的绝缘膜。可是如果相对介电常数k减小，绝缘膜的机械强度恶化。以下，在本发明中，把相对介电常数k小于3.5的膜称作“低介电常数膜”。在半导体器件封装后的热循环试验中，由于使温度例如从-65℃到150℃变化，所以低介电...
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