技术编号:6854206
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。公开包括部分注入技术的用以制造半导体装置的方法。背景技术 通常,用以制造半导体存储器装置(例如动态随机存取存储器(DRAM))的方法由几个单元工艺所组成。该等单元工艺包括沉积、蚀刻及注入工艺等,以及传统上以一个晶片接一个晶片方式来实施。然而,很难达成均匀工艺结果。例如因为不可能精确地控制与该等单元工艺相关联的大量变数,所以很难在晶片的整个区域上获得叠层的均匀厚度以及蚀刻比及离子的均匀密度。因此,因不可预期或不精确地受控制工艺变数所造成的工艺错误是半导体装置...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。