技术编号:6854219
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体工艺,尤其涉及一种缩小特征尺寸(criticaldimension;CD)的方法与半导体蚀刻方法。背景技术 金属氧化物半导体(metal-oxide semiconductor;MOS)晶体管为集成电路中非常重要的电子元件,因此,金属氧化物半导体晶体管的电性表现会影响产品的品质。而一般提升金属氧化物半导体晶体管电性表现的方法,就是缩小其栅极的最小线宽(line width),以提升栅极的工作速率。通常在制作栅极时,需先在多晶硅层上先形成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。