技术编号：6854428
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在半导体集成电路中形成绝缘结构的方法，特别是涉及一种。背景技术 随着极超大型集成电路的出现，已允许在世界各地的半导体生产者来制造一尺寸极端缩小的半导体元件。高度整合的元件需要将紧缩设置的元件间彼此做电性隔离。因此，用以形成此种集成电路的制程，包括在半导体元件中形成绝缘结构。为了制造如此高度整合的电路，一般而言其绝缘结构使用浅沟渠隔离法在硅或其他半导体基板中来加以形成。如此的绝缘结构是相当重要的，因为在极大型集成电路中，即使小量的漏电流亦会造成...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。