技术编号:6854469
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,更具体地说,涉及集成电路中的异质结构沟道晶体管的制造。背景技术 直接在较大基片中制作的硅/硅锗异质结构半导体沟道晶体管是已知的。然而,这种晶体管存在SCE(短沟道效应)和DIBL(漏极感应势垒降低效应)的缺点。更准确地说,当晶体管栅极的长度下降时,由于源极和漏极间的势垒降低,沟道中心的电势变化很大因而晶体管的阈值电压也会改变。这就是SCE效应。在此基础上又加上漏极电势的作用,就会进一步降低势垒,这就是DIBL效应。发明内容本发明旨在提供...
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