技术编号:6854855
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低内阻的半导体器件制造方法,特别涉及对双极型集成电路IC和双极型分立器件两类半导体器件有源区表面进行粗化处理的方法,其中所述分立器件是指双极型的二极管、三极管以及晶闸管。背景技术 近年来,由于电子产品不断向小型化、低功耗方向发展,众多生产厂商和研究人员都把更多的注意力集中到开发小型化和低功耗的半导体器件方面来。针对双极型集成电路IC和双极型分立器件这两类半导体器件来说,以往的理论中,采用表面粗化处理来增大半导体器件中载流子注入表面的表面积是降...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。