技术编号:6854917
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,更具体地说,涉及场效应晶体管(FET)及相关的器件。背景技术 在过去的30年,基于硅的集成电路技术,如包括场效应晶体管(FET和/或MOSFET)金属氧化物-半导体(MOS)器件的发展,在降低成本的同时,提供更快的器件速度、增加的集成度以及增加的器件功能。参考图1A,MOS器件典型地形成在具有重掺杂源/漏区(S/D)区12的衬底10中,源/漏区(S/D)区12被更轻掺杂的沟道区18分开。沟道区18可以被栅电极14控制,栅电极14通过栅...
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