技术编号:6855047
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是大致关于互补式金属氧化半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor)集成电路(integrated circuits,IC),尤指分开的漏极布植区的形成,用来增强IC的静电放电(electrostatic discharge,ESD)防护能力,同时简化了IC的制造过程。背景技术 如同元件尺寸不断的缩减,元件对于ESD损害也就更为敏感。ESD事件发生在当电荷,于非常短的时间内,传输于一个或是多个IC的接脚(pi...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。