技术编号：6855119
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别是涉及一种高密度的。背景技术 随着半导体元件尺寸不断地缩小，使得半导体元件变得更容易受硅晶体中缺陷或杂质所影响。单一二极管或晶体管的失效往往构成整个芯片的缺陷。为解决这个问题，在半导体元件中常形成由熔丝所组成的冗余电路。如果在制造工艺之后发现一个电路具有缺陷，可以用一个熔丝转换以将其禁能，并至能一冗余电路。对于存储器元件而言，可以将主存储器通过冗余电路耦接到一冗余存储器，而使得缺陷存储单元可以在其地址重新设置一个好的存储单元。在集成电路...
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