技术编号:6855125
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,更具体而言,涉及一种非挥发存储器例如电子可擦除和可编程的只读存储器(EEPROM)及其制造方法。背景技术 图1是示出常规EEPROM单元结构的截面图,该结构被引入以解决例如相邻存储元之间的干扰的问题,这些问题会导致相邻存储元的不期望的编程或擦除操作。参照图1,常规EEPROM单元包括设置在基板10上的存储晶体管20和选择晶体管30。基板10包括公共源区50和漏区60。源区50包括包含n+型高浓度杂质区32和n-型低浓度杂质区36的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。