技术编号：6855130
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术 为了提高半导体器件的开关速度，通常在栅电极上形成比电阻低于多晶硅的硅化物层。为了在栅电极上形成硅化物层，首先在半导体衬底上形成栅电极和源极/漏极扩散层；接着在半导体衬底上淀积金属层；并对半导体衬底进行退火。在这个工艺中，硅化物层的厚度通常取决于金属层的厚度。近年来有人提议在公共半导体衬底上形成其中栅电极完全被硅化的MOSFET(以下称为全硅化物MOSFET)和其中栅电极的上部局部被硅化的MOSFET(以下称为非全硅化物MOSFE...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。