技术编号：6855135
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体工艺，特别是涉及一种自晶片上去除残余的聚合物的方法。背景技术 在半导体工艺中，一材料层的图案化工艺通常包括形成图案化光致抗蚀剂的光刻步骤，以及其后以图案化光致抗蚀剂为掩模的蚀刻步骤。由于光致抗蚀剂为有机物，所以在蚀刻步骤结束后，基底上常会残留一些成分为聚合物的蚀刻残余物，其将造成许多问题。例如，在镶嵌开口(damascene opening)的工艺中，即常有蚀刻残余的聚合物形成在开口的侧壁上，影响后续工艺。如在半导体工艺中，若该聚合物未...
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