技术编号:6855162
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路以及用于半导体器件制造的集成电路加工方法。更具体地,本发明提供了一种在使用应变硅结构制造MOS器件用于高级CMOS集成电路器件中掺杂多晶硅栅极结构的方法和结构。但是应该认识到,本发明具有更广泛的应用范围。背景技术 集成电路已经从单个硅芯片上制备的少数互连器件发展到数以百万计的器件。传统集成电路提供的性能和复杂度远远超出人们最初的想象。为了在复杂度和电路密度(即,在给定的芯片面积上能够封装的器件数量)方面获得改进,最小器件的特征尺寸,也称为...
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