技术编号:6855189
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制作工艺,特别涉及一种横向PNP晶体管及其制造方法。背景技术横向PNP晶体管是双极型电路中普遍采用的器件结构。常规的横向PNP晶体管的制作方法仅是在发射极、集电极和基极制作好以后,在晶体管表面生长一层作为介质层的二氧化硅。这种结构的横向PNP晶体管往往电学特性不好,即电流放大倍数较小,而且线性度也不好,随着集电极电流的增加,放大倍数迅速下降。发明内容本发明旨在提供一种能提高放大倍数、改善线性度的横向PNP晶体管及其制造方法。本发明所提供...
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