技术编号:6855274
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体,尤其是一种MOS场效应管及其制作方法。背景技术 图1为已有技术的MOS场效应管横截面结构示意图。如图1所示,在硅区域两边为浅沟道隔离区域,上方为栅氧,栅氧上方为多晶硅栅。在目前常规的MOS场效应管中,多晶硅栅的宽度在场效应管的宽度方向是均匀的。图2为已有技术的MOS场效应管版图示意图。如图2所示,在W方向上,即在场效应管的宽度方向上,多晶硅栅的宽度是均匀的。在已有技术的运用浅沟道隔离工艺(STI)的MOS场效应管中,通常容易存在反窄沟...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。