技术编号:6855280
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光二极管的静电损伤保护装置的结构以及其制造方法,主要关于一种带有三极管的硅基板结构及其制作过程。背景技术 以GaN基III族氮化物材料为基础的蓝、绿光发光二极管(LED)有很高的发光效率,在照明和高亮度显示领域有着广阔的应用前景。但是该类器件通常对静电损伤(ESD)非常敏感,这大大限制了器件的可靠性和制作过程的成品率。有人提出通过与LED并联一个反接的硅基齐纳二极管(T.Inoue日本专利号H11-040848)或两个反向串联的齐纳二极管(...
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