技术编号:6855339
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。该技术属于微电子技术中,半导体器件测量。该发明主要应用于半导体PN结器件(半导体发光管、半导体激光器和其它半导体二极管器件)的工作温升的测量。背景技术半导体器件,特别是功率半导体器件工作时,会产生大量的热,致使半导体PN结处的温度升高。这将加速半导体器件的性能恶化。如工作寿命变短和器件的性能变差。影响半导体器件温升的因素一方面与器件工作时产生的热量有关;对于基于PN结发光器件还与其发光效率有关。施加电功率一定,发光效率越大,用于产生热量的功率就越少;另一因...
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