可变电阻器件及包括该可变电阻器件的半导体装置的制作方法技术资料下载

技术编号:6855496

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本发明涉及由具有根据施加的电场而变化的电阻并在以非易失性方式变化之后保持电阻的材料制成的可变电阻器件;和包括可变电阻器件的半导体装置,且尤其涉及可变电阻器件的电极结构。背景技术 具有钙铁矿结构的材料,尤其是巨磁阻(CMR)材料,具有由于外部因素例如磁场的影响而变化的电学特性。正在进行用于将这种材料应用到电子装置的研究和开发。这种CMR材料的一个例子是Pr0.7Ca0.3MnO3(以下称作“PCMO”),且可通过一次或多次施加脉冲来变化其电学特性。在用于构成...
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