技术编号：6855770
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及集成电路技术，更具体地说，涉及。背景技术 砷化镓(“GaAs”)金属半导体场效应晶体管(“MESFET”)被广泛用于微波频率的放大、高速数字切换和各种其他高要求的应用领域。微波频率在卫星和无线通信领域中日益广泛的应用促进了对高性能GaAs晶体管和相关固态集成电路(“IC”)配置的需求。随着MESFET的功率输出能力继续增大，单个晶体管就可以提供过去由多个晶体管提供的功率，从而在相当程度上节省了成本，并且极大地减小了放大器模块的尺寸。可实现的...
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