技术编号:6855799
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于非易失性记忆体,特别是涉及提高氮化物唯读记忆体(nitride read-only memory,NORM)抹除一致性和鉴别边缘记忆胞(marginal memory cell)的装置和方法。背景技术 随着对消费电子产品需求的增加,如数码照相机、MP3播放器、膝上型电脑和个人数字助理(PDA)等,都需要使用非易失性记忆体装置存储大量资料。氮化物唯读记忆胞包括氧化物-氮化物-氧化物(ONO)闸极介电层(gatedielectric)和位于该ON...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。