技术编号:6855800
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及集成电路(IC),尤其涉及互连结构,包括多级互连结构,其中利用先进等离子体工艺使得可以减少光刻处理后的临界尺寸不均匀性;从而改善衬里和Cu籽晶保形性用于希望的器件/互连性能、可靠性和功能性。背景技术 通常,半导体器件包括形成集成电路的多个电路,所述集成电路包括芯片(例如芯片后段制程,或“BEOL”)、薄膜封装以及印刷电路板。集成电路可以用于计算机和电子设备,并可以包括在单个硅晶体衬底上制造的几百万个晶体管和其它电路元件。为使器件运作,通常布线...
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