技术编号:6855808
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,具体涉及用于半导体器件制作中的光刻工序的。背景技术 随着半导体元件的微细化,在光刻工序中要求高的清晰度。针对此要求,推进所使用的曝光光的短波长化,在光刻中,作为曝光光源广泛使用ArF准分子激光器(波长193nm)。另外,随着曝光光的短波长化,作为复制图形的感光性树脂(抗蚀剂膜)材料,化学放大型抗蚀剂也开始实用化。化学放大型抗蚀剂膜,由于含有通过曝光在抗蚀剂中生成酸的酸生成剂,通过曝光生成的酸分解树脂(在抗蚀剂是正型时),或使其交联(在抗蚀剂是负...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。