技术编号:6855854
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造等中的图形形成方法及使用它的曝光装置。背景技术 随着半导体集成电路的大集成化及半导体元件的小型化,要求加速对光刻技术的开发。目前,在利用作为曝光光使用汞灯、KrF激元激光或ArF激元激光等的光刻法完成图形形成的同时,也探讨使用波长更短的F2激光的方法,但还存在关于曝光装置及抗蚀材料的很多问题,因此使用波长较短的曝光光的光刻法的实用化还需要等待一段时间。从这样的状况出发,最近为了用以往的曝光光推进图形一层的微细化,提出了浸渍光刻法(i...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。