技术编号:6855865
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体元件,特别有关于具有埋入隔离层的沟槽电容以及形成沟槽电容的方法。背景技术 在集成电路(IC)元件中,存储单元(memory cell)是最重要的元件之一,无论是作为集成电路中伴随的元件,或是作为单独的元件。在过去二十年中,持续不断的研究主题包括如何进一步增加IC每单位面积的储存容量;增加数据保留时间;提高读写速度;及降低存储单元的能源消耗。在各种不同的存储单元设计中,一种主要的设计是依赖电容作为储存电荷的元件以藉由电容的电荷状态储存数据。例...
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