技术编号：6855911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由各种电路构成的半导体器件及其制造方法。背景技术 传统薄膜晶体管(薄膜晶体管在下文中称之为TFT)是用非晶半导体膜制成的；因此，几乎不可能获得具有10cm2/V·Sec或更大场效应迁移率的TFT。然而，由于由晶体半导体膜制成的TFT的出现，因此可获得具有高场效应迁移率的TFT。由于由晶体半导体膜制成的TFT具有高场效应迁移率，因此使用TFT可在一个衬底上同时形成各种功能电路。例如，以前，在显示设备中，驱动器IC等被安装在显示部分上以具有驱动器电路...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。