技术编号:6856040
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,特别涉及的是一种具有纳米或深亚微米栅长的高电子迁移率晶体管(HEMT)制作方法。它的特点是无须采用效率低、成本高的电子束曝光方法,即可获得具有深亚微米至数十纳米栅长的高电子迁移率晶体管,具有很强的实用价值。众所周知,目前,要制作具有0.25微米(μm)以下栅长的砷化镓金属半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs PHEMT)和磷化铟赝配高电子迁移率晶体管(InPPHEMT),一般采用电子束曝光或...
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