技术编号:6856043
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种浅沟隔离元件的制备方法,更具体地说,涉及一种应用于半导体元件上的低应力衬里的浅沟隔离元件的制备方法。在集成电路元件中,为防止相邻二电晶体间发生电子漂移,而产生漏电流的现象,通常会以一隔离元件作为间隔。传统的隔离元件为场氧化层,其是以区域氧化法(LOCOS)所形成。但随着目前集成电路中电晶体的密度愈来愈大而线宽却愈来愈细,对于0.25微米以下的半导体加工,目前应用最广的是一浅沟渠隔离(STN)元件。熟知的浅沟隔离元件是以下列步骤所形成氧化一硅底...
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