技术编号:6856081
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域,具体而言,涉及。背景技术在对晶片上面绝缘层中的接触孔进行腐蚀过程中,固有氧化物的残留物例如二氧化硅常常会残留下来,特别是在接触孔的底部。将半导体沉积在接触孔之前,必须除去这种固有的氧化物残留物,因为氧化物残留物会增加电阻,这是不利的,因为会阻碍电流通过半导体。半导体表面还必须用氢钝化,以防止除去固有氧化物后的再氧化。湿腐蚀清洁法普遍用来除去固有氧化物并钝化半导体表面,主要是因为湿腐蚀常规地用来腐蚀绝缘层如二氧化硅层中的窗。通常...
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