技术编号：6856089
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体激光器、一种半导体激光器的安装方法、安装有半导体激光器的结构和光盘系统，其适合应用于氮化物型III-V族化合物半导体的半导体激光器和使用该半导体激光器作为光源的光盘系统。背景技术 图8显示了根据相关技术使用GaN衬底的GaN基半导体激光器。如图8所示，在该GaN基半导体激光器中，在n型GaN衬底101上依次层叠n型AlGaN覆层102、n型GaN光波导层103、未掺杂Ga1-xInxN(阱层)/Ga1-yInyN(势垒层，x＞y)多量子...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。