技术编号:6856117
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用了氮化物系列III-V族化合物半导体的半导体发光元件。背景技术 近年来,作为在光盘的高密度化方面所必要的从蓝色区域到紫外线区域可发光的半导体激光器,使用了AlGaInN等的氮化物系列III-V族化合物半导体的氮化物系列半导体激光器的研究开发正在活跃地进行,已实现了实用化。在迄今为止已报告的氮化物系列半导体激光器中,作为其有源层结构,大多使用交替地层叠了由大于等于2层的InGaN构成的阱层和由大于等于3层的与上述阱层相比In组成比小(通常约0....
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。