技术编号:6856430
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高功率半导体装置,特别是涉及一种借助高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor,MOSFET)装置,针对高电流密度(di/dt)提升坚固性(ruggedness),且可有效的防止在金属氧化物半导体场效应晶体管关闭状态下寄生双极晶体管(Parasitic bipolr transistor)被启动的现象。背景技术 高功率装置需要具有高击穿电压(breakd...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。