技术编号:6856628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电子组件的应力阻障结构,特别是涉及一种。背景技术 近年来,由于电子产品的速度与容量等要求皆大幅提升,芯片的输入/输出(input/output;I/O)引脚的数量与芯片的功率也随之提高。以内存为例,早期的内存为16M或64M,现在已发展到512M的二代同步双倍数据传输动态随机存取内存(Double Data Rate II Synchronous DynamicRandom Access Memory;DDRII SDRAM),其中制作的困难...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。