技术编号：6856641
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅片卸载工艺，具体来说，涉及一种可以去除刻蚀工艺过程中产生的聚合物的硅片卸载工艺。背景技术 在射频(13.56MHz)感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机刻蚀图形硅片(pattern wafer)后，硅片(wafer)要和静电卡盘(ESC)分离，必须采用硅片卸载工艺将硅片表面的残余电荷释放掉，目前采用的方法将给ESC提供电压的两极反接和利用Ar起辉，中和或消除硅片上的残余电荷。目前的工艺中，硅片卸载recipe包括以下两个步骤(1)消除工艺中的残...
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