技术编号:6856647
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种栅刻蚀工艺,具体来说,涉及一种能够避免微沟槽现象的硅栅刻蚀工艺。背景技术 硅栅刻蚀工艺是实现半导体制造特征尺寸的重要步骤,随着半导体工艺的发展,栅刻蚀的线条越来越窄,栅氧层厚度越来越薄,栅刻蚀工艺的难度也随之不断升高。硅栅的刻蚀剖面是指被刻蚀图形的侧壁形状。刻蚀过程中,良好的剖面控制是非常必要的,合格的工艺产品要求垂直光滑的剖面。由于各种因素的影响,一般工艺不能达到理想的刻蚀剖面,容易出现底切、微沟道、侧壁弯曲等现象。现有刻蚀工艺主要分为贯穿...
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