技术编号:6856648
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅片刻蚀工艺,具体来说,涉及一种能够提高产量和减小硅片表面粗糙度的硅片卸载工艺。背景技术 在等离子体刻蚀机刻蚀硅片后,硅片(wafer)要和静电卡盘(ESC)分离,必须采用硅片卸载步骤将硅片表面的残余电荷释放掉,目前采用的方法是将静电卡盘提供电压的两极反接和利用Ar起辉,中和或消除硅片上的残余电荷。目前所采用的传统硅片卸载工艺分为两步(1)残气消除和(2)硅片卸载,其中步骤(1)是腔室压强5mT、上下电极功率为0w、以流量为200sccm的A...
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